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onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM

Le MOSFET NVMFWS4D0N04XM d'onsemi offre de faibles RDS(on) et capacité dans un boîtier homologué AEC-Q101. Le MOSFET a une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 80 A et une résistance drain-source de 3,9 mΩ à 10 V. Le MOSFET NVMFWS4D0N04XM d'onsemi est disponible dans un boîtier SO-8FL à petite empreinte, 5 mm x 6 mm, et il est idéal pour les applications de commande de moteur, de protection de batterie et de redressement synchrone.

Caractéristiques

  • RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
  • Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Empreinte réduite (5 mm x 6 mm) et conception compacte
  • Homologué AEC-Q101 et capable de PHPP
  • Sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Entraînement de moteur
  • Protection de la batterie
  • Redressement synchrone

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 40 V
  • Résistance drain-source de 3,9 mΩ à 10 V
  • Courant de drain continu de 80 A

Réponse thermique transitoire

Graphique des performances - onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM

Style de boîtier

Schéma du circuit d'application - onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM
Publié le: 2025-04-10 | Mis à jour le: 2025-04-17