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onsemi MOSFET de puissance à canal N unique NVMFWS0D4N04XM

Les MOSFET de puissance à canal N unique NVMFWS0D4N04XM d'onsemi sont disponibles dans un boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm avec une conception compacte. Ces MOSFET se caractérisent par une tension drain-source de 40 V, une tension grille-source de ±20 V et une dissipation d'énergie de 197 W (TC = 25 °C). Les MOSFET de puissance NVMFWS0D4N04XM ont une faible résistance (RDS(on)) pour minimiser les pertes en conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Ces MOSFET sont qualifiés AEC-Q101 et compatibles PHPP. Les MOSFET de puissance NVMFWS0D4N04XM sont exempts de plomb, d'halogènes et de BFR, et sont conforme à la directive RoHS. Les applications typiques incluent le pilotage de moteur, la protection de batterie, la protection contre l’inversion de batterie, le redressement synchrone, les alimentations de commutation et les commutateurs de puissance.

Caractéristiques

  • Faible RDS(on) pour réduire au minimum les pertes en conduction
  • Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Qualification AEC-Q101
  • Compatible PHPP
  • Sans plomb, sans halogène et sans BFR
  • Conforme à la directive RoHS
  • Boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm avec une conception compacte

Applications

  • Entraînement de moteur
  • Protection de la batterie
  • Redressement synchrone
  • Protection d'inversion de la batterie
  • Sources d’alimentation à commutation
  • Commutateurs de puissance (pilote côté haut, pilote côté bas et ponts en H, etc.)

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 40 V
  • Tension grille-source de ±20 V
  • Dissipation d'énergie de 197 W (TC = 25 °C)
  • Énergie d'avalanche à impulsion unique de 2 396 mJ
  • Température de jonction et plage de température de stockage en fonctionnement de -55 °C à 175 °C

MOSFET à canal N unique

onsemi MOSFET de puissance à canal N unique NVMFWS0D4N04XM

Ressources supplémentaires

Publié le: 2026-02-25 | Mis à jour le: 2026-04-09