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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

Le MOSFET de puissance NVMFS4C03NWFET1G monocanal d'Onsemi est un dispositif haute efficacité conçu pour des applications de gestion de l'alimentation exigeantes. Logé dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm le NVMFS4C03NWFET1G offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(on), aussi bas que 0,9 mΩ à 10 V ce qui rend le MOSFET idéal pour minimiser les pertes de conduction dans les circuits à courant élevé. Ce onsemi MOSFET prend en charge est rapide et commutation est optimisé pour une utilisation dans CC-CC convertisseurs redressement synchrone commutation de charge et contrôle de moteur applications. Une conception robuste et une cote d'énergie d'avalanche élevée rendent le NVMFS4C03NWFET1G adapté à une utilisation dans les télécommunications, les serveurs et les systèmes d'alimentation industriels où la fiabilité et l'efficacité sont essentielles. Le NVMFS4C03NWFET1G offre un équilibre de performance, de taille et de la robustesse, ce qui en fait un choix polyvalent pour l'alimentation moderne électronique.

Caractéristiques

  • Faible empreinte de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes
  • Faible résistance RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
  • Faible QG et faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Flancs mouillables pour une inspection optique améliorée
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb et sans halogène/sans BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseurs CC-CC
  • Redressement synchrone
  • Commutation de charge
  • Contrôle de moteur
  • Systèmes d'alimentation pou télécommunications
  • Gestion de l'alimentation des serveurs et des centres de données
  • Systèmes de gestion de batterie (BMS)

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source maximale de 30 V
  • Tension grille-source maximale de ±20 V
  • Plage de courant de drain continu maximal de 34,9 A à 159 A
  • Plage de puissance dissipable admissible de 3,71 W à 77 W
  • Courant de drain pulsé maximum de 900 A
  • Courant de source diode du corps maximum de 64 A
  • Énergie d'avalanche drain-source maximale par impulsion unique de 549 mJ
  • Boîtier SO-8 FL
  • Résistance maximale drain-source
    • 1,7 mΩ à 10 V
    • 2,4 mΩ à 4,5 V
  • Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
  • Température maximale des fils de soudage de +260 °C
  • Résistance thermique maximum
    • 1,95°C/W jonction-boîtier, régime établi
    • 40°C/W jonction-ambiance, régime établi
Publié le: 2025-06-02 | Mis à jour le: 2025-06-23