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onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

Les MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V d’Onsemi sont des solutions compactes et hautement efficaces conçues pour des applications de commutation de puissance exigeantes. Ces MOSFET affichent des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides, faisant du NVMFDx d’Onsemi le composant idéal pour une utilisation dans les convertisseurs CC-CC, les entraînements à moteur et les systèmes de gestion de batterie. Logés dans un boîtier DFN-8 peu encombrant, ces MOSFET prennent en charge une gestion de courant élevée et des performances thermiques, ce qui est essentiel pour l’ électronique automobile industrielle et grand public. Chaque variante offre différents profils de courant et de résistance pour répondre à des besoins de conception spécifiques, tout en maintenant des valeurs d’énergie d’avalanche robustes et une faible charge de grille pour une efficacité et une fiabilité améliorées dans les systèmes de puissance haute performance.

Caractéristiques

  • Petite empreinte de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes
  • RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
  • QG et capacité faibles pour minimiser les pertes de conduction
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PPAP
  • Boîtier DFN-8 avec flancs mouillables
  • Sans plomb, sans halogène/sans BFR, sans béryllium
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Systèmes automobiles
    • Direction assistée électrique
    • Éclairage LED
    • Unités de contrôle électronique (ECU)
  • Convertisseurs CC-CC
    • Convertisseurs point de charge (POL)
    • Architectures de bus intermédiaires
  • Contrôle de moteur
    • Robotique
    • Automatisation
  • Gestion de batterie
    • Protection de batterie
    • Circuits de chargement
  • Alimentations électriques

Caractéristiques techniques

  • Tension de rupture drain-source de 100 V
  • Plage de résistance drain-source de 10,4 mΩ à 39 mΩ
  • Tension source-drain de 20 V
  • Tension de seuil source-drain de 3 V
  • Plage de courant de drain continu de 21 A à 61 A
  • Plage de dissipation d’énergie de 36 W à 84 W
  • Plage de charge de grille de 4 nC à 26 nC
  • Plage delai de passage à la fermeture typique de 4,6 ns à 11 ns
  • Plage de temps de montée de 1,7 ns à 5,2 ns
  • Plage de délai de passage à l’ouverture typique de 15 ns à 32 ns
  • Plage de temps de descente de 3 ns à 5,5 ns
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
  • Température de soudage maximale de +260 °C

Fiche technique

Schéma

Schéma - onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
Publié le: 2025-05-29 | Mis à jour le: 2025-06-08