onsemi EEPROM de qualité automobile NV25xx
Les EEPROM de qualité automobile NV25080, NV25160, NV25320 et NV25640 onsemi sont des dispositifs de qualité AEC-Q100 proposés en densités de 8 Ko, 16 Ko, 32 Ko et 64 Ko, organisés en interne en 1 K, 2 K, 4 K et 8 K x 8 bits Ces dispositifs prennent en charge le protocole interface périphérique série (SPI) et disposent d'un tampon d'écriture de page de 32 octets. Les dispositifs EEPROM NV25xx0 sont activés via une entrée de sélection de puce (CS). Les signaux de bus nécessaires sont les lignes d'entrée d'horloge (SCK), d'entrée de données (SI) et de sortie de données (SO). L'entrée HOLD permet d'interrompre toute communication sérielle avec le composant NV25xx.
Les EEPROM NV25xx0 onsemi sont dotées d'une protection contre l'écriture logicielle et matérielle, y compris d'une protection partielle et complète du réseau. Le code de correction d'erreur (conducteur de masse) au niveau de l'octet sur la puce rend ces dispositifs adaptés pour des applicationsde haute fiabilité. Ces dispositifs offrent également une page d'identification supplémentaire, qui peut être protégée en permanence contre l'écriture.
Les EEPROM NV25080, NV25160, NV25320et NV25640 sont proposées dans des boîtiers compacts SOIC8 et TSSOP8 et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -40 °C et +150 °C .
Caractéristiques
- Certifiées pour l'automobile AEC-Q100 classe 0 (-40 °C à +150 °C)
- Plage de tension d'alimentation de 5,0 V à 5,5 V
- Compatible SPI 10 MHz
- Modes SPI (0,0) et (1,1)
- Tampon d'écriture de page de 32 octets
- Cycle d'écriture auto-temporisé
- Protection matérielle et logicielle
- Page d'identification supplémentaire avec protection d'écriture permanente
- Préfixe NV pour l'automobile et d'autres applications nécessitant un contrôle du site et des modifications
- Protection en écriture de blocs pour quart de matrice EEPROM, pour demi-matrice EEPROM ou pour matrice EEPROM complète
- Technologie CMOS de basse puissance
- Cycles de programmation/effacement
- 4 millions à +25 °C
- 1,2 millions à +85 °C
- 600 000 à +125 °C
- 300 000 à +150 °C
- Rétention de données pendant 200 ans
- Options de boîtier SOIC-8, TSSOP-8 et UDFN-8
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Modules de porte
- Ordinateurs corporels et unités de gestion de l'énergie
- Unités d'immobilisation
- Modules d'essuie-glace
- Unités d'aide au stationnement
- Unités de gestion de la lumière
- Freins de stationnement électroniques
- Unités de contrôle du démarrage et de l'arrêt du moteur
- Unités de contrôle du moteur
- Systèmes de freinage antiblocage (ABS)/programmes électroniques de stabilité (ESP)
- Airbags
- Systèmes de navigation et d'infodivertissement intégrés
- Unités de contrôle de la direction électrique
Désignations des broches
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| Numéro de pièce | Taille de la mémoire | Organisation | Package/Boîte |
|---|---|---|---|
| NV25320MUW3VTBG | 32 kbit | 4 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25640MUW3VTBG | 64 kbit | 8 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25160MUW3VTBG | 16 kbit | 2 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25128MUW3VTBG | 128 kbit | 16 k x 8 | UDFN-8 |
| NV25080DWHFT3G | 8 kbit | 1 k x 8 | SOIC-8 |
| NV25020MUW3VTBG | 2 kbit | 256 x 8 | UDFN-8 |
| NV25010MUW3VTBG | 1 kbit | 128 x 8 | UDFN-8 |
| NV25080DTHFT3G | 8 kbit | 1 k x 8 | TSSOP-8 |
| NV25040MUW3VTBG | 4 kbit | 512 x 8 | UDFN-8 |
| NV25160DTHFT3G | 16 kbit | 2 k x 8 | TSSOP-8 |
Publié le: 2020-08-11
| Mis à jour le: 2024-09-16