onsemi MOSFET de puissance à canal P NTTFS008P03P8Z
Le MOSFET de puissance onsemi NTTFS008P03P8Zà Canal P se caractérise par une tension de -30 V (VDSS), par une intensité de -96 A (ID), par une puissance de 50 W et par une résistance ultra-basse de 3,8 mΩ sous -10 V RDS(on), pour une efficacité améliorée de système. Ce MOSFET utilise une technologie avancée de boîtier dans un boîtier PQFN8 3,3 mm x 3,3 mm, pour un gain de place et pour une excellente conduction thermique. Le boîtier PQFN8 est sans plomb, sans halogène/BFR et conforme à la directive RoHS. Le MOSFET NTTFS008P03P8Z onsemi est typiquement approprié pour des commutateurs de charges d'alimentation, pour des ordinateurs portables à gestion de batterie, pour des tablettes, pour des smartphones, pour des drones, pour des alimentations électriques et pour la charge sans fil.
Caractéristiques
- Très basse RDS(on), pour améliorer l'efficacité de système
- Boîtier 3,3 mm x 3,3 mm PQFN8 à technologie avancée
- Sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS - boîtiers sans plomb disponibles
Applications
- Commutateurs de charge de puissance
- Protection contre le courant inverse, les surtensions et la tension négative inverse
- Gestion de batteries
- Ordinateurs portables, tablettes, smartphones et drones
- Ventilateurs à CC, alimentations électriques, adaptateurs de puissance (PD) USB et charge sans fil
Publié le: 2020-08-07
| Mis à jour le: 2024-05-28