onsemi MOSFET à canal N NTTFD1D8N02P1E
Le MOSFET canal N NTTFD1D8N02P1E d’Onsemi est un dispositif double asymétrique de 25 V, pince d’alimentation. Ce MOSFET à canal N présente une tension drain-source RDS(on) 4,2 mΩ HS, 1,4 mΩ LS et 25 VDSS. Le MOSFET NTTFD1D8N02P1E présente également une faible résistance RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité QG et capacité pour minimiser les pertes de pilote. Ce MOSFET est proposé dans une petite empreinte PQFN12 de 3,3 mm x 3,3 mm pour une conception compacte. Le dispositif NTTFD1D8N02P1E convient aux convertisseurs CC/CC et aux rails de tension du système.
Caractéristiques
- Petite empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm pour des conceptions compactes
- RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
- Faible QG et capacité pour minimiser les pertes du pilote
- Dispositif est sans Pb et Conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs CC/CC
- Rails de tension du système
Schéma de dimension
Publié le: 2025-02-06
| Mis à jour le: 2025-03-05