onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC
Les MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC onsemi sont conçus selon le procédé avancé Power Trench à technologie de grille blindée. Les MOSFET NTMTS002N10MC onsemi ont un encombrement compact 8 mm x 8 mm et permettent des conceptions économiques en termes de volume. La faibleRDS(on) des dispositifs garantit des pertes minimales en conduction, tandis que les faiblesQ G et capacité réduisent les pertes de pilotes en offrant des performances de commutation supérieures. Engagés dans le boîtier Power 88, ces MOSFET sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, alignée avec les normes environnementales modernes.
Caractéristiques
- Faible encombrement (8 mm x 8 mm) pour des designs compacts
- RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
- QG et capacité faibles pour limiter les pertes de pilote
- Boîtier Power 88
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Commande de moteur
- Convertisseurs CC-CC
- Gestion/protection de batterie
Schéma du circuit d'application
Publié le: 2024-05-13
| Mis à jour le: 2024-06-10