onsemi MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8

Le MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8 d'Onsemi est un MOSFET à source unique qui présente une faible résistance RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité QG pour minimiser les pertes du pilote. Ce MOSFET à canal N fonctionne à une tension drain-source de 30 V (VDS), une tension grille-source de ±20 V (VGS) et un courant drain de 294 A. Le MOSFET NTMFSS0D9N03P8 est proposé dans un boîtier 5 mm x 6 mm avec une conception à source vers le bas et grille centrale afin d'améliorer la densité de puissance, le rendement et les performances thermiques. Ce MOSFET à canal N est sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le MOSFET NTMFSS0D9N03P8 est idéal pour les ORing, les entraînements de moteur, les commutateurs de charge d'alimentation et les convertisseurs CC/CC.

Caractéristiques

  • Boîtier amélioré de 5 mm x 6 mm avec source vers le bas et grille centrale pour améliorer la densité de puissance l'efficacité et les performances thermiques
  • Faible résistance RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
  • Faible QG et faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Joint torique
  • Entraînements à moteur
  • Commutateur de charge d'alimentation
  • CC/CC

Schéma de dimensions

Plan mécanique - onsemi MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8
Publié le: 2025-02-05 | Mis à jour le: 2025-02-13