onsemi mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z

Le MOSFET de canal P NTMFS003P03P8Z d’Onsemi est un MOSFET de -30 V disponible en 5 mm x 6 mm pour une économie d’espace et une excellente conduction thermique. Ce MOSFET de canal P présente une résistance RDS(on) ultra-faible de 1,8 mΩ pour améliorer l’efficacité du système et un courant de drain de -234 A. Le MOSFET de canal P NTMFS003P03P8Z fonctionne à une plage de température de jonction et de stockage de -55 °C à 150 °C. Ce MOSFET est un dispositif sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le NTMFS003P03P8Z MOSFET convient à la charge d’alimentation commutateur à la protection inverse courant à la protection contre les surtensions et à la protection inverse négative tension et gestion de batterie.

Caractéristiques

  • RDS(on) ultra-faible pour améliorer l’efficacité du système
  • Tension de grille à source de ±25 V (VGS)
  • Tension de drain à source de -30 V (VDS)
  • Technologie de boîtier avancée en 5 mm x 6 mm pour une économie d’espace et une excellente conduction thermique
  • Les dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et conformes à la directive RoHS.

Applications

  • Commutateur de charge d'alimentation
  • Protections :
    • Courant inverse
    • Surtension
    • Tension négative inverse
  • Gestion de batterie

MOSFET à canal P

onsemi mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z

Schéma des dimensions

onsemi mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z
Publié le: 2025-02-04 | Mis à jour le: 2025-02-12