onsemi MOSFET de puissance à double canal N et P NTMC083NP10M5L

Le MOSFET de puissance à double canal N et P NTMC083NP10M5L onsemi est conçu avec une charge de grille (Q_g) et une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance drain-source à l'état passant (R_DS(on)) pour minimiser les pertes de conduction. Conçu de manière compacte avec un encombrement standard de 5 mm x 6 mm, il n'est pas protégé contre les ESD. Le MOSFET de puissance NTMC083NP10M5L est particulièrement adapté pour les outils électriques, les aspirateurs alimentés par batterie, les drones/véhicules aériens sans pilote (UAV), la manutention de matériel, les entraînements moteurs et la domotique.