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onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

Le MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P d'onsemi est disponible dans un boîtier compact SOT-723 avec protection DES intégrée. Le boîtier SOT-723 a une empreinte 44 % plus petite et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89. La tension drain-source (VDSS) nominale est de-20 V et possède une tension de courant de drain continu (ID) de -780 mA (TA = +25 °C). Le dispositif NTK3139P d'onsemi présente un niveau de seuil bas permettant une tension RDS(on) nominale de 1,5 V (VGS = 1,5 V, ID = -100 mA) de 0,95 Ω (standard). Le dispositif onsemi peut fonctionner à un niveau de commande de grille logique bas. Les applications typiques incluent la commutation de charge/puissance, l'interfaçage (commutation logique) et la gestion de batterie pour l'électronique portable ultra-compacte.

Caractéristiques

  • Commutateur à canal P avec faible RDS(on)
  • Empreinte 44 % plus petite et 38 % plus mince que le SC-89
  • Niveaux de seuil bas permettant une tension nominale RDS(on) de 1,5 V
  • Fonctionnement à une faible tension de commande de grille logique
  • Sans plomb, sans halogène/RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutation de charge/puissance
  • Interface (commutation logique)
  • Gestion de batterie pour l'électronique portable ultra-compacte

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source (VDSS) de -20 V
  • Tension grille-source (VGS) de ±6 V
  • Courrant de drain continu (ID) de -780 mA (TA = +25 °C), -570 mA (TA = +85 °C), -870 mA (t <= 5 s,="">A = +25 °C)
  • Dissipation d'énergie (PD) de 450 mW (TA = +25 °C), 550 mW (t < 5 s,="">A = +25 °C)
  • Plage de température de fonctionnement de jonction/de stockage (TJ, Tstg) de -55 °C à +150 °C
  • Courant de drain en mode pulsé (IDM) (tp = 10 µs) de -1,2 A
  • Température des fils de +260 °C pour le soudage (TL)
  • Résistance de drain à source à l'état passant [RDS(on)]
    • 0,38 Ω (std) à VGS = -4,5 V, ID = -780 mA
    • 0,52 Ω (std) pour VGS = -2,5 V, ID = -660 mA
    • 0,70 Ω (std) pour VGS = -1,8 V, ID = -100 mA
    • 0,95 Ω (std) pour VGS = -1,5 V, ID = -100 mA

Schéma de circuit

Schéma - onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P
Publié le: 2025-10-01 | Mis à jour le: 2025-10-14