onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL045N065SC1
Le MOSFET au carbure de silicium (SIC) NTHL045N065SC1 d'Onsemi utilise une technologie totalement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une haute fiabilité par rapport au silicium. Ce MOSFET compact de taille puce est conçu avec une faible résistance à l’état passant et garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET NTHL045N065SC1 dispose d’un rendement élevé, d’une fréquence de fonctionnement plus rapide, d’une densité de puissance accrue, d’une réduction des EMI et d’une taille de système réduite. Les applications standard comprennent les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs solaires, les convertisseurs CC-CC, les onduleurs et le stockage d’énergie.Caractéristiques
- Commutation à haute vitesse avec faible capacité (Coss= 162 pF)
- RDS (on)= 32 m à VGS= 18 V
- RDS (on)= 42 m à VGS= 15 V
- Tension drain-source (VDSS) 650 V
- Courant de drain continu 66 A (ID max)
- Charge de grille Ultra-faible (Qg (tot)= 105 nC)
- 100 % testé en avalanche
- Température de jonction élevée (TJ < 175 °C)
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Alimentation non interruptible (UPS)
- Convertisseurs CC/CC
- Onduleurs solaires
- Stockages d'énergie
Publié le: 2022-02-21
| Mis à jour le: 2023-08-04
