onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L020N090SC1
Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) onsemi NTH4L020N090SC1 présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celui au silicium simple. Le MOSFET onsemi présente une basse résistance à l'état passant (ON) et une taille compacte de puce, pour garantir de basses capacité et charge de grille. Le système bénéficie donc d'un rendement plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction d'EMI et d'une économie de taille.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 20 mΩ sous VGS = 15 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 16 mΩ sous VGS = 18 V
- Charge de grille ultra-basse (QG(tot) = 196 nC)
- Faible capacité de sortie efficace (Coss = 296 pF)
- Test à 100 % de commutation UIL
- Ce composant est sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, 2LI sans Pb (sur interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- ASI
- Convertisseur CC-CC
- Convertisseur élévateur de tension
Circuit d'application
Produits associés
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 900 V
Fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure fiabilité par rapport au silicium.
Solutions connexes
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2022-11-10
| Mis à jour le: 2024-06-19