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onsemi MOSFET SiC à canal N NTH4L018N075SC1

Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) à canal N NTH4L018N075SC1 d'onsemi est un MOSFET Elite 750 V M2 à faible résistance à l’état passant disponible dans un boîtier TO247-4L compact. Ce MOSFET SiC prend en charge une commutation à haute vitesse avec une faible capacité (Coss = 365 pF), un courant de récupération inverse nul de la diode de corps et une configuration de source Kelvin. Le MOSFET SiC NTH4L018N075SC1 présente Qg (tot) = charge de grille ultra-faible de 262 nC, une tension grille-source de -8 V/+22 V et une dissipation d’énergie de 500 W. Les applications typiques comprennent des convertisseurs solaires, des stations de chargement de véhicule électrique, des systèmes de stockage d’énergie, des alimentations sans interruption (ASI) et des alimentations électriques en mode commuté (SMPS).

Le MOSFET SiC NTH4L018N075SC1 fournit de hautes performances de commutation, une haute fiabilité, un haut rendement, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et une plus petite taille du système Ce MOSFET SiC est testé en mode avalanche 100 % et fonctionne à une plage de température de -55 °C à 175 °C. Ce MOSFET SiC à canal N est sans halogénure, 2LI sans Pb et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a.

Caractéristiques

  • Résistance drain-source à l’état passant :
    • 13,5 mΩ à V GS = RDS(on) standard de 18 V
    • 18 mΩ à VGS = RDS(on) standard de 15 V
  • Charge de grille ultra-faible (QG(tot)  = 262 nC)
  • Commutation à haute vitesse avec faible capacité (Coss  = 365 pF)
  • Tension drain-source de 750 V
  • Courant de récupération inverse nul de la diode de corps
  • Configuration de source Kelvin
  • Plage de tension grille-source de -8/+22 V
  • 100 % testé en avalanche
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 175 °C
  • Sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a
  • 2LI sans plomb (sur l'interconnexion de deuxième niveau)

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Stations de chargement de véhicules électriques
  • Alimentations non interruptibles (UPS)
  • Systèmes de stockage d'énergie
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Industrie

Schéma de principe

onsemi MOSFET SiC à canal N NTH4L018N075SC1

Schéma des dimensions

Plan mécanique - onsemi MOSFET SiC à canal N NTH4L018N075SC1

Ressources supplémentaires

Publié le: 2024-07-29 | Mis à jour le: 2024-08-22