onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4

Le transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4 d'onsemi est un transistor NPN combinant faible tension de saturation et faible VCE (sat) à gain élevé. Ce transistor bipolaire dispose d’une tension collecteur-émetteur de 40 VCC, d’un courant de base de 1 ACC et d’une plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C. Le transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4 est sans plomb, sans halogène/BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications standard incluent la régulation de tension, la gestion de l’alimentation pour les appareils portables, les régulateurs de commutation, les commandes de moteur et les convertisseurs CC-CC.

Caractéristiques

  • Faible tension de saturation collecteur-émetteur
  • Gain de courant CC élevé
  • Produit gain-bande passante à gain de courant élevé
  • Préfixe NSV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle :
    • Homologué AEC-Q101
    • Compatible PPAP
  • Le NSS40300MZ4 est un dispositif complémentaire PNP
  • Sans plomb
  • Sans Halogène/sans BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Caractéristiques techniques

  • Tension collecteur-émetteur de 40VCC
  • Tension collecteur-base de 40 VCC
  • Tension base-émetteur de 6 VCC
  • Courant de base continu de 1 ACC
  • Courant collecteur continu de 3 ACC
  • Courant collecteur de crête de 5 ACC
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à +150 °C

Applications

  • Régulation de tension
  • Gestion de l’alimentation pour les appareils portables
  • Régulateurs de commutation
  • Commandes de moteur
  • Convertisseurs CC/CC

Schéma des dimensions

Plan mécanique - onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4
Publié le: 2023-12-14 | Mis à jour le: 2024-01-11