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onsemi MMBD150xA Diodes de communication à petit signalsignal

Les diodes de commutation à petit signal Onsemi MMBD150xA ont une tension inverse répétitive maximale (VRRM) de 200 V et un courant direct redressé moyen (IF(AV)) de 200 mA. Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier SOT-23 ou SOT-23-3. Les diodes MMBD150xA d’Onsemi sont d’usage général et conviennent à de nombreuses applications.

Applications

  • Les circuits de commutation à haute vitesse
  • Traitement du signal
  • Protection et blocage de la tension
  • Décalage de niveau
  • Mélangeurs et détecteurs dans les circuits RF
  • Redressement à usage général
  • Mise en œuvre de la grille logique
  • Mise en forme Pulse

Caractéristiques techniques

  • Tension inverse répétitive de crête de 200 V (VRRM)
  • Courant moyen redressé direct de 200 mA (IF(AV))
  • Courant de surtension non répétitif (IFSM)
    • Largeur d’impulsion = 1 0 s est de 1 0 A
    • Largeur d’impulsion = 1 0 µs est de 2 0 A
  • Tension directe (VF)
    • IF = 1 0 mA : 620 mV (min.)/720 mV (max.)
    • IF = 10 mA : 720 mV (min.)/830 mV (max.)
    • IF = 50 mA : 800 mV (min.)/890 mV (max.)
    • IF = 100 mA : 830 mV (min.)/930 mV (max.)
    • IF = 200 mA : 0,84 V (min.)/1,10 V (max.)
    • IF = 300 mA : 0,90 V (min.)/1,15 V (max.)
  • Température de fonctionnement de jonction (TJ) de -55 °C à +150 °C
  • Dissipation d’énergie de 350 mW (PD)
  • Tension de rupture de 200 V (min.) (VR) (IR = 5 0 µA)
  • Capacité totale de 4 0 pF (max.) (CT) (VR = 0, f = 1 0 MHz)
  • Courant inverse
    • VR = 125 V : 1,0 nA (max.)
    • VR = 125 V, TA = 150 °C : 3 0 µA (max.)
    • VR = 180V : 10.0nA (max.)
    • VR = 180 V, TA = 150 °C : 5 0 µA (max.)

Schémas de connexion

Graphique - onsemi MMBD150xA Diodes de communication à petit signalsignal
Publié le: 2025-05-20 | Mis à jour le: 2025-06-20