onsemi IGBT à moyenne vitesse et arrêt de champ de 4e génération FGH4L75T65MQDC50
L’IGBT à moyenne vitesse et arrêt de champ de 4e génération FGH4L75T65MQDC50 d’onsemi offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation. Le FGH4L75T65MQDC50 utilise la technologie IGBT de 4e génération à arrêt de champ et la technologie de diode SCHOTTKY SiC de 1,5e génération dans un boîtier TO-247 à 4 fils. Ce transistor IGBT est destiné aux opérations à haut rendement dans diverses applications, en particulier les PFC et les onduleurs sans pont totem-pole.
Caractéristiques
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité de courant élevée
- Testé 100 % pour ILM
- Commutation optimisée et fluide
- Faible tension de saturation : VCE (Sat) = 1,45 V standard à CI = 75 A
- Aucune récupération inverse ni directe
- Distribution étroite des paramètres
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Systèmes de stockage d'énergie
- PFC (Correction du facteur de puissance)
- Stations de chargement pour VE (véhicules électriques)
Caractéristiques techniques
- Tension de collecteur-émetteur maximale de 650 V
- Tension de grille-émetteur maximale de ±20 V
- Tension de grille-émetteur transitoire maximale de ±30 V
- Plage de courant collecteur maximale de 75 à 110 A
- Plage de dissipation de puissance maximale de 192 à 385 W
- Collecteur de courant pulsé maximal de 300 A
- Plage de courant direct maximal de la diode de 50 à 60 A
- Courant direct de diode pulsée maximal de 200 A
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
- Boîtier TO-247-4LD
Solutions connexes
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2024-01-26
| Mis à jour le: 2024-06-19