onsemi IGBT haut débit FGH4L50T65SQD 50 A 650 V
Les IGBT haut débit FGH4L50T65SQD 650 V 50 A Onsemi utilisent une technologie IGBT à arrêt de champ innovante dans cette série d’IGBT 4th-generation. Ces composants offrent les performances optimales pour les onduleurs solaires, les ASI, les soudures, les télécommunications, les ESS et les applications PFC. Le FGH4L50T65SQD onsemi est idéal lorsque de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.
Caractéristiques
- La température de jonction maximale (TJ) est de 175 °C
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- capacité de courant élevée
- Faible tension de saturation (VCE (Sat)) de 1,6 V (std) à IC = 50 A
- 100 % des pièces sont testées pour ILM
- Impédance d’entrée élevée
- Commutation rapide
- Distribution étroite des paramètres
- Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleur solaire
- ASI
- Appareil de soudage
- Telecom
- ESS
- PFC
Schéma de principe
Publié le: 2023-10-05
| Mis à jour le: 2023-10-13