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onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

Le MOSFET à faible signal FDC642P-F085 d’onsemi est doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide. Ce MOSFET affiche une charge de grille typique faible de 6,9 nC, une tension drain-source de 20 V, une tension grille-source de ±8 V et une dissipation d’énergie de 1,2 W. Le MOSFET à faible signal FDC642P-F085 est disponible dans un boîtier SUPERSOT™-6, avec une empreinte réduite de 72 % par rapport au boîtier standard SO-8, ainsi qu’une conception à profil mince d’une épaisseur de 1 mm. Ce MOSFET à faible signal est exempt de plomb, conforme à la directive RoHS, homologué AEC-Q101 et compatible avec le processus PPAP. Parmi les applications courantes, on peut citer la commutation de charge, la protection des batteries et la gestion de l’alimentation.

Caractéristiques

  • RDS(on) typique = 52,5 mΩ pour VGS = -4,5 V, ID = -4 A
  • RDS(on) typique = 75,3 mΩ pour VGS = -2,5 V, ID = -3,2 A
  • Vitesse élevée de commutation
  • Charge de grille typique faible de 6,9 nC
  • Technologie à tranchée haute performance pour un RDS(on) extrêmement faible
  • Boîtier SUPERSOT™–6 :
    • Empreinte 72 % plus petite qu’un boîtier standard SO-8
    • Profil mince avec une épaisseur de 1 mm
  • Conforme à la directive RoHS et sans plomb
  • Certifiés AEC-Q101 et compatibles PPAP

Applications

  • Commutation de charge
  • Protection de batteries
  • Gestion de l'alimentation

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de -20 V
  • Tension grille-source de ±8 V
  • Dissipation d’énergie de 1,2 W
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C

Courbe des caractéristiques typiques

Graphique des performances - onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

Ressources supplémentaires

Notes d'application

Publié le: 2025-11-19 | Mis à jour le: 2025-11-27