onsemi Carte d'évaluation EVBUM2901G-EVB

La carte d’évaluation Onsemi  EVBUM2901G-EVB est conçue pour les tests à haute température et la génération de modulation de largeur d’impulsion variable (MLI). Le composant  EVBUM2901G-EVB d’Onsemi prend en charge le test des boîtiers discrets SiC et Si avec jusqu’à atteindre une tension de rupture de1 200 V en utilisant des cartes filles compatibles. La carte intègre un générateur MLI de qualité laboratoire, une source de chaleur et une sortie +5 V dans une conception compacte alimentée par un seul adaptateur 12 V (inclus), permettant des tests efficaces et fiables dans une configuration simplifiée.

Caractéristiques

  • Carte de circuit imprimé de la micro-plaque avec faible résistance thermique
  • Régulation de la température de la micro-plaque (OFF, 125 °C, 150 °C, 175 °C)
  • Générateur MLI à 10 impulsions (5 V, Fréq. 30 kHz, largeur d’impulsion de 0,2 s à 10 s)
  • Entièrement compatible avec le testeur discret à double impulsion
  • Adaptateur de puissance inclus
  • Interface intuitive utilisant des indicateurs LED et un affichage

Applications

  • Test de boîtier discret (SiC, Si)
  • Caractérisation de dispositif haute tension
  • Évaluation de la performance thermique
  • Analyse de la modulation de largeur d’impulsion

Présentation générale

onsemi Carte d'évaluation EVBUM2901G-EVB
Publié le: 2025-01-20 | Mis à jour le: 2025-02-19