onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

Les transistors Onsemi e2PowerEdge à basse VCE(sat) sont des dispositifs miniatures et montés en surface à ultra-faible tension de saturation (VCE(sat)) et à capacité de gain élevé en courant. Ils sont conçus pour des applications de commutation à haute vitesse et à basse tension, où une régulation efficace et abordable de la consommation d'énergie s'avère essentielle. Les applications standard sont des convertisseurs CC-CC et la gestion d’alimentation électrique dans des produits portables et alimentés par batteries tels que des téléphones cellulaires et sans fil, des PDA, des ordinateurs, des imprimantes, des appareils photo numériques et des lecteurs MP3. D'autres applications sont des commandes de moteur sous basse tension dans les produits pour supports de mémoires de grandes capacités tels que des lecteurs de disques et de bandes. Ils peuvent servir au déploiement de coussins gonflables et à des grappes d’instruments dans l’industrie automobile. Le gain de courant élevé permet le pilotage direct de dispositifs e2PowerEdge onsemi à partir de sorties de commande PMU ’s, et le gain linéaire (bêta) en fait des composants idéaux dans des amplificateurs analogiques.

Caractéristiques

  • Courant élevé
  • Basse VCEsat
  • Robuste ESD
  • Gain élevé de courant
  • Fréquence de coupure élevée
  • Boîtier à profil mince
  • Gain linéaire (bêta)

Applications

  • Commutation de charge
  • Charge de batterie
  • Transistor externe de passage
  • Convertisseur CC-CC
  • Pilote complémentaire
  • Extension de courant et régulation à faible chute de tension
  • Pilote de lampe fluorescente cathodique
  • Pilote de périphérique — LED, moteurs et relais
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Polarité du transistor Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant CC max. du collecteur
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G Fiche technique SOIC-8 NPN 40 V 82 mV 3 A
NSV1C301CTWG NSV1C301CTWG Fiche technique LFPAK-4
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Fiche technique SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G Fiche technique SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40301CTWG NSS40301CTWG Fiche technique LFPAK-4
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Fiche technique SOIC-8 NPN, PNP 40 V 82 mV, 135 mV 3 A
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG Fiche technique WDFN3 PNP 12 V 400 mV 1 A
NSS1C301CTWG NSS1C301CTWG Fiche technique LFPAK-4
NSS20200DMTTBG NSS20200DMTTBG Fiche technique WDFN6 20 V 250 mV
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Fiche technique SOT-23-3 PNP 60 V 180 mV 2 A
Publié le: 2024-05-14 | Mis à jour le: 2025-10-27