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onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1

Les transistors bipolaires BC846BPDW1 d'onsemi sont des transistors doubles à usage général conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance. Ces transistors NPN/PNP sont logés dans le boîtier SOT-363/SC-88. Les transistors bipolaires BC846BPDW1 sont homologués AEC-Q101, compatibles PPAP et disponibles en boîtier sans plomb. Ces transistors PNP NPN sont sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS. Les transistors bipolaires sont idéaux pour les applications à montage en surface à faible puissance.

Caractéristiques

  • Transistors à usage général PNP NPN doubles
  • Logés dans le boîtier SOT-363/SC-88
  • Conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance
  • Préfixe « S » pour l’automobile et d’autres applications nécessitant un site et des exigences de changement de contrôle uniques
  • Certifiés AEC-Q101 et compatibles PPAP
  • Sans plomb, sans halogène, sans BFR et conformes à la directive RoHS

Applications

  • Applications à montage en surface à faible puissance

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
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Numéro de pièce Fiche technique Tension de saturation collecteur-émetteur Gain de courant CC hFE max. Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
SBC846BPDW1T3G SBC846BPDW1T3G Fiche technique 800 200
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Fiche technique 600 mV, 650 mV 150
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Fiche technique 600 mV, 650 mV 475 at 2 mA, 5 V 200 at 2 mA, 5 V
SSVBC846BPDW1T1G SSVBC846BPDW1T1G Fiche technique 250 mV, 300 mV 475 200
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Fiche technique 600 mV, 650 mV 475 200
Publié le: 2024-10-07 | Mis à jour le: 2024-10-28