onsemi MOSFET UniFET II FDT4N50NZU
Le MOSFET UniFET II FDT4N50NZU onsemi est un MOSFET haute tension basé sur une technologie avancée à bande planaire et DMOS. Le MOSFET a une faible résistance à l'état passant parmi les MOSFET planaires. Il fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure résistance à l'énergie d'avalanche. Une diode ESD grille-source interne permet au MOSFET UniFET II de résister à une surtension de plus de 2 kV HBM.
Caractéristiques
- Standard RDS(on) = 2,42
- Charge de grille ultra-faible (Standard QG = 9,1 nC)
- Testés à 100 % en mode avalanche
- Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène, sans BFR, et sont conformes à la directive RoHS
Applications
- Alimentations pour ordinateurs/écrans
- Alimentations électriques industrielles
- Alimentations grand public
Publié le: 2021-05-27
| Mis à jour le: 2022-03-11