onsemi MOSFET SUPERFET® III NTP360N80S3Z
Le MOSFET SUPERFET® III NTP360N80S3Z d'Onsemi est un MOSFET haute performance qui offre une tension de rupture de 800 V (VBR(DSS)). Ce SUPERFET est optimisé pour le commutateur primaire d'un convertisseur Flyback et permet de réduire les pertes de commutation et la température du boîtier sans sacrifier les performances EMI. Le SUPERFET III NTP360N80S3Z d'Onsemi se caractérise par une diode Zener interne qui améliore considérablement la capacité de décharge électrostatique (ESD). Les applications typiques comprennent les adaptateurs/chargeurs, l'éclairage LED, l'alimentation AUX, l'audio et l'alimentation industrielle.
Caractéristiques
- Optimisé pour le commutateur primaire d'un convertisseur flyback
- Permet de réduire les pertes de commutation et la température du boîtier
- La diode Zener interne améliore la capacité ESD
- Tension drain-source (VBR(DSS)) de 800 V
- Résistance drain-source (RDS(on)) maximale de 360 mΩ
- Charge de grille (Qg) standard ultra-faible de 25,3 nC
- Courant de drain (ID) de 13 A
- Faible énergie stockée en capacité de sortie (Eoss) de 2,72 µJ à 400 V
- 100 % testé en avalanche
Applications
- Adaptateurs/chargeurs
- Éclairage LED
- Alimentation AUX
- Audio
- Alimentation industrielle
Publié le: 2020-09-16
| Mis à jour le: 2024-06-04