onsemi MOSFET de puissance à canal N NTMFS011N15MC
Le MOSFET de puissance à canal N NTMFS011N15MC d'onsemi est fabriqué selon le procédé innovant PowerTrench® qui utilise la technologie de grille blindée. Ce MOSFET minimise la résistance à l'état passant et maintient des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Le MOSFET NTMFS011N15MC d'Onsemi se caractérise par sa résistance à l'état passant (RDS(on)) et sa charge de grille (Qg) faibles. Ce MOSFET réduit les pertes de commutation et le brouillage électromagnétique (EMI). Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.
Caractéristiques
- Technologie de MOSFET à grille blindée
- RDS(on) faible pour limiter les pertes en conduction
- QG et capacité faibles pour limiter les pertes de pilote
- Qrr inférieur de 50 % à celui des autres fournisseurs de MOSFET
- Réduit le bruit de commutation/EMI
- Conception de boîtier robuste MSL1
- Testé à 100 % UIL
Applications
- Redressement synchrone
- Alimentations CA-CC et CC-CC
- Adaptateurs CA-CC (USB) RS
- Commutateurs de charge
- MOSFET primaires dans les alimentations CC-CC isolées
Graphiques de performance
Ressources supplémentaires
Publié le: 2020-09-16
| Mis à jour le: 2024-06-04