onsemi MOSFET SUPERFET® III NTD360N80S3Z
Le MOSFET SUPERFET® III NTD360N80S3Z onsemi est optimisé pour le commutateur primaire d'un convertisseur flyback qui permet de réduire les pertes de commutation et la température du boîtier. Ce MOSFET contient une diode Zener interne qui améliore la capacité ESD. Le MOSFET NTD360N80S3Z dispose d'une tension drain-source (VDSS) de 800 V, d'une résistance drain-source maximale de 360 mΩ RDS(on) et d'un courant de drain maximal de 13 A (ID). Les applications typiques sont les adaptateurs/chargeurs, l'éclairage LED, l'alimentation AUX, l'audio et l'alimentation industrielle.
Caractéristiques
- Faible perte en commutation
- Rendement élevé
- Bonnes performances EMI
- Capacité ESD améliorée avec la diode Zener interne
- RDS(on) 360 mΩ maximum
- Tension drain-source 800 V (VDSS)
- Courant de drain 13 mA (ID)
- Charge de grille standard très faible 25.3nC (Qg)
- Faible énergie stockée dans la capacité de sortie (Eoss) de 2,72 µJ à 400 V
Applications
- Adaptateurs/chargeurs
- Éclairage LED
- Alimentation AUX
- Audio
- Alimentation industrielle
Ressources supplémentaires
Publié le: 2020-09-14
| Mis à jour le: 2024-06-12