onsemi MOSFET de puissance SuperFET® II
Les MOSFET de puissance SuperFET® II de Fairchild sont une nouvelle génération propriétaire de MOSFET à haute tension qui utilisent un mécanisme de répartition de la charge de pointe pour des performances exceptionnelles de faible résistance en marche et moindre charge de grille. Cette technologie de pointe est adaptée pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et soutenir des rapports dv/dt extrêmes et une énergie supérieure en avalanche. Ces MOSFET SuperFET® II conviennent à la conversion d'alimentation CA/CC en régime de commutation pour miniaturiser les systèmes et augmenter le rendement.Caractéristiques
- Low RDS(on)
- Ultra-low gate charge
- Low effective output capacitance
- 100% avalanche tested
- Wide range of package options
Applications
- Telecom / server power supplies
- AC-DC power supplies
- Industrial power supplies
Publié le: 2012-03-23
| Mis à jour le: 2025-10-27
