NXP Semiconductors Carte d'évaluation A5G35H110N
La carte d'évaluation A5G35H110N de NXP Semiconductors est utilisée avec le transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35H110N. La carte est conçue pour les unités radio 32T, 320 W (10 W en moyenne à chaque antenne). Sa bande cible est B42 et offre 2 fois plus de puissance dans le même boîtier que les solutions 64T.
Caractéristiques
- Transistor discret au GaN 48 V
- À 7,6 dB OBO
- 41,8 dBm (en moyenne 15 W)
- Gain : 15 dB
- Rendement de drain de 54 % (Doherty)
- 3300-3700MHz
- Crête 49,4 dBm (85 W)
- Boîtier plastique surmoulé DFN 7 x 6,5
- Asymétrique – rapport 1,9:1, entrée et sortie pré-adaptées
Gamme standard
Publié le: 2022-04-26
| Mis à jour le: 2023-04-06