NXP Semiconductors Carte d'évaluation A5G26H110N
La carte d’évaluation A5G26H110N de NXP Semiconductors est utilisée avec le transistor GaN de puissance RF Airfast A5G26H110N. La carte est conçue pour les unités radio 32T, 320 W (10 W en moyenne à chaque antenne). Sa bande cible est n41, et elle offre 2 fois plus de puissance dans le même boîtier que les solutions 64T.
Caractéristiques
- transistor discret GaN 48 V
- À 8,7 dB OBO
- 41,8 dBm en moyenne (15 W)
- Gain de 16 dB
- Efficacité de drain de 58 % (Doherty)
- 2 496-2 690 MHz
- 50,5 dBm en crête (110 W)
- Boîtier plastique surmoulé DFN 7 x 6,5
- Asymétrique – rapport 1,9:1, entrée et sortie préadaptées
Gamme standard
Publié le: 2022-04-26
| Mis à jour le: 2022-06-24