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Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

Les MOSFET à tranchée de niveau logique à canal N PXNx de Nexperia sont conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications. Ces MOSFET Nexperia se caractérisent par une faible résistance à l'état passant [RDS(on)], allant de 2,8 mΩ à 14 mΩ et prennent en charge les tensions drain-source de 60 V et 100 V (VDS). Ces MOSFET sont optimisés pour la compatibilité au niveau logique et conviennent pour le redressement synchrone côté secondaire, convertisseurs CC-vers-CC, les entraînements à moteur, la commutation de charge et l'éclairage LED. Ces MOSFET sont hébergés dans des boîtiers MLPAK33 et MLPAK56 thermiquement efficaces, qui offrent une empreinte compact et des performances thermiques améliorées. Grâce à des caractéristiques telles qu'une faible charge de grille (Qg) et une forte résistance à l'avalanche, la série PXNx garantit une exploitation fiable dans des environnements exigeants.

Caractéristiques

  • Options de 60 V et 100 V
  • Résistance à l'état passant drain-source
    • Plage de 5,7 mΩ à 14 mΩ pour 60 V
    • Plage de 2,8 mΩ à 2,9 mΩ pour 100 V
  • Compatibilité au niveau logique
  • Technologie MOSFET à tranchée
  • Épaisseurs thermiquement efficaces dans un petit facteur de forme
    • Empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm, MLPAK33 (SOT8002-1) pour 60 V
    • Empreinte de 5,15 mm x 6,15 mm, MLPAK56 (SOT8038-1) pour 100 V

Applications

  • Redressement synchrone côté secondaire
  • Convertisseurs CC-CC
  • Appareils ménagers
  • Entraînements à moteur
  • Commutation de charge
  • Éclairage LED
  • Vélos électriques (uniquement 100 V)

Caractéristiques techniques

  • Plages du courant de drain maximale
    • De 39 A à 83 A pour 60 V
    • De 180 A à 184 A pour 100 V
  • Plages de dissipation d'énergie totale maximale
    • De 43 W à 79 W pour 60 V
    • 181 W pour 100 V
  • Plages de charge du drain de grille standard
    • De 2,1 nC à 5,7 nC pour 60 V
    • De 19 nC à 20 nC pour 100 V
  • Plages de charge de grille totale standard
    • De 5,9 nC à 16,5 nC pour 60 V
    • De 51 nC à 74 nC pour 100 V
  • Plages d'énergie d'avalanche source-drain non répétitive maximale
    • De 22,5 mJ à 90 mJ pour 60 V
    • De 275,6 mJ à 714 mJ pour 100 V
  • Plages de charge récupérées standard des diodes source-drain
    • De 4,9 nC à 11 nC pour 60 V
    • De 31 nC à 48 nC pour 100 V
  • Plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C
Publié le: 2025-04-08 | Mis à jour le: 2025-04-13