Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

Nexperia NSF0x0120 N-Channel SiC MOSFETs offer superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package for surface-mounting PCB technology. The NSF0x0120 is based on a 1200V power MOSFET with a fast switching speed. These combined features make the Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal for high-power and high-voltage industrial applications, including E-vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.

Caractéristiques

  • Excellente stabilité de température RDS(on)
  • Très faibles pertes de commutation
  • Récupération inverse rapide
  • Vitesse de commutation élevée
  • Pertes de commutation à l'arrêt indépendantes de la température
  • Diode de corps intrinsèque solide et très rapide
  • Commutation plus rapide et amélioration de la commutation grâce à la broche source Kelvin supplémentaire

Applications

  • Infrastructure de recharge de véhicules électriques
  • Onduleurs photovoltaïques
  • Source d’alimentation en mode commutation
  • Alimentation sans interruption
  • Entraînements à moteur

Application standard

Schéma du circuit d'application - Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120
Publié le: 2024-06-18 | Mis à jour le: 2025-08-16