Nexperia Diode idéale haute efficacité NID1101
La diode idéale haute efficacité de Nexperia NID1101 est conçue pour remplacer les diodes SCHOTTKY traditionnelles dans les systèmes d'alimentation basse tension. La NID1101 de Nexperia offre une chute de tension directe nettement inférieure tout en assurant à la fois une conduction directe et un véritable blocage du courant inverse. Fonctionnant sur une plage d'entrée de 1,5 V à 5,5 V et supportant un courant continu allant jusqu'à 1,5 A, la NID1101 est idéale pour les applications nécessitant une perte de puissance minimale et un contrôle précis du courant, telles que l'alimentation OR-ing, le changement de source d'alimentation redondante et la protection contre le courant inverse. Dans les configurations à double alimentation, la diode idéale permet des transitions de source transparentes sans logique de contrôle supplémentaire. Disponible dans un boîtier compact WLCSP4 (SOT8113), la NID1101 est caractérisée pour une exploitation sur une plage de température allant de -40 °C à +125 °C.
Caractéristiques
- Plage de tension d'entrée de 1,5 V à 5,5 V
- Chute de tension directe typique de 29 mV à une entrée de 3,6 V et un courant de charge de 100 mA
- Blocage permanent de tension inverse, faible courant de fuite lorsque VOUT ≥ VIN
- Blocage de la tension directe lorsque désactivé
- Faible courant de repos
- Réponse transitoire de charge améliorée
- Vitesse de balayage contrôlée au démarrage
- Protection contre la surchauffe
- Protection contre les courts-circuits
- Boîtier SOT8113 à 4 broches, puce au niveau de la plaquette
- Plage de température spécifiée : de -40 °C à +125 °C
Applications
- Wearables intelligents
- Applications OR-ing
- Remplacement de la diode
- Systèmes de secours de batterie
- Dispositifs alimentés par USB
Caractéristiques techniques
- Plage de tension d'entrée de fonctionnement de 1,5 V à 5,5 V
- Tension de sortie de fonctionnement de 0 V à 5,5 V
- Plage de courant de sortie continu maximal de 0,5 A à 1,5 A
- Courant de commutation pulsé maximal de 2 A
- Plage de tension broche EN de 0 V à 5,5 V
- Courant d'entrée
- Repos maximal de 1100 nA, 600 nA standard
- Arrêt maximal de 430 nA, 120 nA standard
- Plage de chute de tension directe FET de 50 mV à 155 mV maximum, plage standard de 21 mV à 110 mV
- Blocage courant inversé
- Tension d’activation RCB standard de 31 mV
- Tension de désactivation RCB standard de 41 mV
- Courant de fuite de -220 nA à 615 nA dans la plage IN, activé
- Courant de fuite de -200 nA à 1200 nA dans la plage OUT, activé
- Courant de fuite de ±500 nA dans la plage IN, désactivé
- Entrée d’activation
- Seuil haut minimum de 1,2 V
- Seuil bas maximum de 0,4 V
- Hystérésis standard de 45 mV
- Courant maximum de 50 nA
- Protection contre les courts-circuits standard de 2,2 A au-delà de la limite du courant
- Arrêt en cas de surchauffe standard à 175 °C
- Hystérésis de surchauffe standard de 35 °C
- Caractéristiques dynamiques standards
- Temps de retard d’allumage de 660 μs
- Temps de montée de 100 μs
- Temps de blocage du courant inverse de 20 μs
- Temps de réponse de la limite du courant de 35 μs
- Résistance thermique de la jonction à l’environnement de 173 °C/W
- Paramètre de caractérisation de la jonction à la partie supérieure de 5 °C/W
- Valeurs DES
- HBM ±2000 V selon la norme ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, classe 2
- CDM ±500 V selon la norme ANSI/ESDA/JEDEC JS-002, classe C2a
Application simplifiée
Schémas de fonctionnement
Outils de développement associés
Nexperia Carte d'évaluation NEVB-NID1101
Plateforme pratique pour tester et évaluer les performances de la diode idéale NID1101.
Publié le: 2025-11-25
| Mis à jour le: 2025-12-21