Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA
Le FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA de Nexperia est un FET au nitrure de gallium (GaN) à usage général 150 V, 3,9 mΩ. Le GANE3R9-150QBA est un composant e-mode normalement éteint offrant une performance supérieure et une très faible résistance à l'état passant. Le GANE3R9-150QBA de Nexperia est disponible dans un boîtier VQFN (Very-Thin-Profile Quad Flat No-lead).
Caractéristiques
- Mode d'amélioration - commutateur d'alimentation normalement éteint
- Capacité de commutation à ultra haute fréquence
- Aucune diode de corps
- Charge de grille faible, charge de sortie faible
- Qualifié pour les applications standard
- Sans Pb, conforme aux directives RoHS et REACH
- Haute efficacité et haute puissance densité
- Boîtier VQFN (Very-thin-profile quad flat no-lead) 4,0 mm x 6,0 mm
Applications
- Densité haute puissance et conversion d'énergie à haut rendement
- Convertisseurs de courant alternatif en courant continu (étape secondaire)
- Convertisseurs DC-DC haute fréquence dans les systèmes 48 V
- Chargement rapide des batteries, téléphones portables, ordinateurs portables, tablettes et chargeurs USB Type-C.
- Convertisseurs (CA vers CC et CC vers CC) (datacom et télécoms)
- Entraînements à moteur
- LiDAR (non-automobile)
- Amplificateurs audio classe D
Publié le: 2024-06-04
| Mis à jour le: 2024-07-02