Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
Le FET bidirectionnel en nitrure de gallium (GaN) GANB8R0-040CBA de Nexperia est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN bidirectionnel de 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP (Wafer Level Chip-Scale Package) compact de 1,7 mm x 1,7 mm. Ce dispositif à mode d'amélioration normalement désactivé offre un retard de commutation ultra-élevé et une faiblerésistance à l'état passant, ce qui rend le GANB8R0-040CBA Nexperia idéal pour les applications nécessitant unegestion de l'alimentation efficace et une haute densité de puissance. La capacité bidirectionnelle du dispositif et la performance supérieure le rendent adapté aux commutateurs de charge côté haut, à la protection contre les surtensions et aux convertisseurs CC-CC.
Caractéristiques
- GaN HEMT bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ
- mode amélioration, commutateur d'alimentation normalement éteint
- Dispositif bidirectionnel
- Capacité de retard de commutation ultra-élevée
- Résistance à l'état passant ultra-faible
- Haute efficacité et densité de puissance élevée
- Boîtier WLCSP de 1,7 mm x 1,7 mm
- sans fil et conforme à la directive RoHS/REACH
Applications
- Commutateurs de charge haute tension
- Protection OVP pour les ports USB de smartphones
- Convertisseurs CC-CC
- Circuits de commutateur d'alimentation
- Systèmes d'alimentation en veille
Caractéristiques techniques
- Tension drain-drain et drain-grille maximale de 40 V
- Tension grillle-drain maximale de 6 V
- Courant de drain maximal de 14 A, 70 A en crête
- Dissipation d'énergie maximale totale de 15 W
- Plage de résistance à l'état passant drain-drain standard de 6,1 mΩ à 11 mΩ
- Résistance de grille standard de 3,2 Ω
- Charge de grille totale standard de 10,1 nC
- Charge de sortie standard de 8 nC
- Capacité d'entrée standard de 566 pF
- Capacité de sortie standard de 243 pF
- Capacité de transfert inverse standard de 145 pF
- Plage de température de jonction de -40 °C à +125 °C
- Température maximale de soudage de pointe de +260 °C
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Publié le: 2025-04-07
| Mis à jour le: 2026-01-20