Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

Les MOSFET à canal N BUK7Q de Nexperia dans un boîtier MLPAK33-WF (SOT8002-3D) utilisent la technologie de tranchée 9. Homologués pour répondre aux exigences AEC-Q101 à 175 °C, ils offrent une petite empreinte pour des conceptions compactes. Le Nexperia BUK7Q dispose de flancs mouillables latéralement qui offrent des joints de brasure robustes et une inspection optique automatisée.

Caractéristiques

  • Boîtier MLPAK33-MF (SOT8002-3D)
  • Technologie Trench 9
  • Empreinte de 3 mm x 3 mm
  • Qualifié selon la norme AEC-Q101 à 175 °C
  • Flancs mouillables latéralement pour des joints de brasure robustes et une inspection optique automatisée

Applications

  • Entraînement de moteur
  • Protection de la batterie
  • Conversion CC-CC

Caractéristiques techniques

  • Tension de rupture drain-source de 40 V Vds
  • Tension grille-source de 20 V Vgs
  • CMS/SMT
  • MLPAK33-8
  • 8 broches
  • Plage de température de -55 °C à +175 °C
  • Canal N simple

Brochage

Graphique - Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF
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Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Délai de désactivation type Délai d'activation standard
BUK7Q4R9-40HJ BUK7Q4R9-40HJ Fiche technique 70 A 84 W 29 nC 4.9 mOhms 23 ns 7 ns
BUK7Q6R0-40HJ BUK7Q6R0-40HJ Fiche technique 73 A 65 W 22 nC 6 mOhms 17 ns 6 ns
BUK7Q7R5-40HJ BUK7Q7R5-40HJ Fiche technique 55 A 53 W 17 nC 7.5 mOhms 14 ns 5 ns
BUK7Q8R4-40HJ BUK7Q8R4-40HJ Fiche technique 57 A 51 W 16 nC 8.4 mOhms 13 ns 4.7 ns
BUK7Q9R5-40HJ BUK7Q9R5-40HJ Fiche technique 51 A 47 W 14 nC 9.5 mOhms 12 ns 4.1 ns
Publié le: 2025-09-15 | Mis à jour le: 2026-01-30