Nexperia Transistors NPN universels BC847xQC
Les transistors à usage général NPN BC847xQC Nexperia disposent d’une capacité de dissipation de puissance élevée, d’une faible hauteur de boîtier 0,5 mm et sont disponibles en boîtier CMS DFN1412D-3. Ces transistors fonctionnent avec une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 45 V, uncourant collecteur (IC) de 100 mA, un courant collecteur de pointe (ICM) de 200 mA, et une plage de température ambiante de -55 °C à 150 °C. Les transistors BC847xQC offrent un encombrement réduit par rapport aux boîtiers CMS plombés conventionnels et sont utilisés dans des applications telles que la commutation/amplification à usage général et les applications à espace restreint.
Caractéristiques
- Grande capacité de dissipation d'énergie
- Adapté aux processus d'inspection optique automatique (AOI) des soudures
- Empreinte réduite par rapport aux boîtiers CMS plombés conventionnels
- Boîtier ultra-plat : 0,5 mm de hauteur
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- 45 V de tension collecteur-émetteur (VCEO)
- 100 mA de courant de collecteur (IC)
- 200 mA de courant collecteur de pointe (ICM)
- Facteur de bruit 10 dB
- 6 V de tension de rupture émetteur-base (V(BR)EBO)
- 45 V de tension de rupture collecteur-émetteur (V(BR)CEO)
- 50 V de tension de rupture collecteur-base (V(BR)CBO)
- Plage -55 °C de température ambiante et 150 °C
Applications
- Applications générales de commutation et d'amplification
- Applications en espace restreint
Courbe caractéristique
Produit associé
Nexperia diodes et transistors DFN automobiles
Conçus avec des flancs mouillables latéraux pour les diodes et transistors automobiles légers et de petite taille.
Publié le: 2022-01-04
| Mis à jour le: 2023-10-31