Nexperia Diode automobile quadruple à faible fuite BAV199S-Q
La diode automobile quadruple à faible fuite BAV199S-Q de Nexperia dispose d'un faible courant de fuite de 3 pA, d'un temps de commutation std de 0,8 µs et d'une tension inverse continue de 75 V. Le BAV199S-Q est idéal pour les applications à faible courant de fuite dans les circuits montés en surface. La diode automobile quadruple à faible fuite BAV199S-Q de Nexperia est logée dans un minuscule boîtier plastique CMS SOT363 (SC-88).
Caractéristiques
- Boîtier CMS en plastique
- Faible courant de fuite : 3 pA
- Temps de commutation : 0,8 µs std
- Tension inverse continue : 75 V
- Tension inverse répétitive en crête : 85 V
- Courant direct répétitif de crête : 500 mA
- Homologuées selon la norme AEC-Q101 et recommandées pour utilisation dans les véhicules automobiles
Schéma de brochage
Publié le: 2022-08-19
| Mis à jour le: 2022-09-12