Micron Stockage Flash universel (UFS) 176 couches NAND 3.1
Le stockage Flash universel (UFS) 176 couches NAND 3.1 de Micron est une solution de mémoire flash rapide comme l'éclair, basée sur la technologie 3D Replacement Gate, optimisée pour les téléphones haut de gamme et emblématiques. L'UFS 176 couches NAND 3,1 débloque le potentiel de la 5G avec une écriture séquentielle et des performances de lecture aléatoire jusqu’à 75 % plus rapides que la génération précédente à 96 couches, permettant ainsi le téléchargement de films 4 K de deux heures en seulement 9,6 s. L’UFS 176 couches 3,1 de Micron dispose d’une conception compacte idéale pour les petits facteurs de forme et la haute capacité nécessaires dans les dispositifs mobiles. L’UFS 3.1 à 176 couches NAND de Micron est proposé en capacités 128 Go, 256 Go, 512 Go, To et 2 To.
Caractéristiques
- Performances améliorées - une écriture séquentielle 75 % plus rapide et des performances de lecture aléatoire 70 % plus rapides que la génération précédente à 96 couches
- Endurance améliorée pouvant atteindre 2 fois le nombre total amélioré d'octets écrits par rapport aux produits de la génération précédente à 96 couches, ce qui signifie que le double de données totales peut être stocké sans dégrader la fiabilité du dispositif
- Téléchargements plus rapides - possibilité de télécharger un flux vidéo 4 K (2 160 pixels) YouTube de 10 minutes en 0,7 s ou un film 4 K de deux heures en 9,6 s
- Expérience mobile plus fluide - latence inférieure de 10 % à celle de la génération 96 couches précédente pour des temps de réponse plus rapides et une expérience mobile plus fiable
Applications
- Mobile
- Automobile
- Clientèle
- Grand public
- Centres de données
- Adoption de la mémoire Flash dans les charges de travail telles que les lacs de données, l'intelligence artificielle et les analyses de Big Data
Vidéos
Publié le: 2021-09-01
| Mis à jour le: 2023-02-16