Microchip Technology SRAM SPI/SDI/SQI 23AA02M/23LCV02M de 2 Mo
Les SRAM SPI/SDI/SQI 23AA02M et 23LCV02M de 2 Mo de Microchip Technology sont des dispositifs de mémoire à accès aléatoire accessibles via un bus série compatible avec une interface périphérique série (SPI). Les SRAM disposent d’opérations de lecture/écriture à tension unique et faible puissance de 2 048 kbits. Ces dispositifs prennent en charge une double interface série (SDI) et une interface série quadruple (SQI) pour des débits de données plus rapides et une fréquence d’horloge à haut débit de 143 MHz. La SRAM fournit une logique intégrée de code de correction d’erreur (ECC) qui garantit une haute fiabilité. Les SRAM SPI/SDI/SQI 23AA02M et 23LCV02M de 2 Mo de Microchip Technology offrent une organisation de 256 x 8 bits avec des modes octets, pages et séquentiels pour la lecture et l’écriture. La SRAM fonctionne avec des cycles de lecture et d’écriture illimités et une prise en charge de batterie de secours externe. Ces dispositifs sont sans halogène et conformes à la directive RoHS.Caractéristiques
- SRAM faible puissance de 2 048 Kbits
- Opérations de lecture et d’écriture à tension unique :
- De 1,7 à 3,6 V (23AA02M)
- De 2,2 V à 3,6 V (23LCV02M)
- Architecture de l’interface série :
- Compatible modes SPI 0 et 3
- Prend en charge SDI et SQI
- Fréquence d’horloge haut débit de 143 MHz
- Haute fiabilité avec logique de code de correction d’erreur (ECC) intégrée
- Consommation à faible puissance
- Courant de lecture actif maximum de 3 mA pour SPI/SDI/SQI (à 40 MHz, 3,6 V)
- Courant de veille standard de 70 µA à +25 °C
- Nombre illimité de cycles de lecture et d'écriture
- Prise en charge de batteries externes de secours
- Temps d'écriture nul
- Organisation
- 256 x 8 bits
- Taille de page de 32 octets ou 256 octets sélectionnée par l’utilisateur
- Mode octet, page et séquentiel pour les lectures et les écritures
- Options de boîtier
- PDIP à 8 fils, SOIC à 8 fils et TSSOP à 8 fils
- PDIP à 14 fils, SOIC à 14 fils et TSSOP à 14 fils
- Sans halogène, conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
- Tension nominale absolue de 3,9 VCC
- Courant de lecture actif maximum de 3 mA
- Courant de veille standard de 70 μA
- Organisation de mémoire de 256 K x 8
- De -0,3 V à VCC+0,3 V pour toutes les entrées et sorties avec réf.
- Fréquence d’horloge maximale de 143 MHz
- Capacité d’entrée de 7 pF
- Protection DES de 2 kV
- Plage de température ambiante de -40 °C à +85 °C
- Plage de température de stockage de -65 °C à +150 °C
Notes d’application
- Utilisation des espaces externes C30 pour communiquer avec la SRAM série hors puce
- Utilisation du compilateur C30 pour interfacer des dispositifs SRAM série avec dsPIC33F et PIC24F
- Utilisation du compilateur C32 pour faire l’interface entre les dispositifs SRAM série et les microcontrôleurs PIC32
- Utilisation du compilateur C18/HI-TECH C® pour interfacer des dispositifs SRAM série avec les microcontrôleurs PIC16F/PIC18F
- Bit-banging des modes SDI et SQI des SRAM série 23XX512/23XX1024 de Microchip
Publié le: 2024-04-01
| Mis à jour le: 2024-05-17
