Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle AQ0115-01ETG

La diode TVS discrète bidirectionnelle AQ0115-01ETG de Littelfuse absorbe en toute sécurité les décharges électrostatiques répétitives supérieures au niveau maximal spécifié dans les normes internationales CEI 61000-4-2 (niveau 4, décharge de contact de ±8 kV) sans perte deperformance. Cette diode TVS robuste présente de faibles tensions de claquage/allumage, ce qui en fait un protecteur idéal pour les lignes de données à basse tension de -1 V à 1 V. La diode TVS AQ0115-01ETG peut gérer un courant d’impulsion de crête de 12 A, fournissant une suppression de tension transitoire fiable. Cette diode TVS qualifiée AEC-Q101 et PHPP est présentée dans un boîtier compact SOD882 qui s’intègre parfaitement dans des conceptions de circuit à haute densité.La diode AQ0115-01ETG    est idéale pour l’automobile, les broches GPIO basse tension pour microcontrôleurs (MCU) ainsi que les applications industrielles et médicales.

Caractéristiques

  • ESD, CEI 61000-4-2, et ±30 kV contact/air
  • ESD, ISO 10605, 330 pF 330 Ω, et contact/air de ±30 kV
  • EFT, CEI 61000-4-4, et 40 A (5/50 ns)
  • Tolérance maximale de surtension, CEI 61000-4-5, 2e édition, et 12 A (8/20 μs)
  • Sans halogène, sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL 1)
  • Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP

Applications

  • Automobile
  • Broches GPIO à basse tension pour microcontrôleur (MCU)
  • Industrie
  • Applications médicales

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle AQ0115-01ETG
Publié le: 2024-06-18 | Mis à jour le: 2024-07-05