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IXYS MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4 d'IXYS sont des transistors MOSFET à mode d'amélioration du canal N, capables de supporter le mode avalanche et caractérisés par une tension de claquage drain-source de 200 V. Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4 d'IXYS sont fournis en boîtiers TO-220 (IXTP) ou TO-263 (IXTA) et sont capables de supporter des courants de drain continus de 86 A ou 94 A.

Caractéristiques

  • 1-channel
  • Mode d'amélioration du canal N
  • Classé avalanche
  • Tension de claquage drain-source de 200 V
  • Courant de drain continu
    • 86 A (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
    • 94 A (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)
  • Résistance drain-source RDS(on)
    • 10,6 mΩ (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)
    • 13 mΩ (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
  • Boîtier
    • TO-220 (IXTP86N20X4, IXTP94N20X4 et 747-IXTP120N20X4)
    • TO-263 (IXTA86N20X4 et IXTA94N20X4)
    • TO-247 (747-IXTH120N20X4)

Schéma

Schéma - IXYS MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4

Fiches techniques

MOSFET associés

IXYS MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4

Composants à canal N avec un RDS(on) de 10,6 mΩ, 13 mΩ ou 21 mΩ et une tension drain-source maximale de 200 V.

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Publié le: 2022-01-12 | Mis à jour le: 2022-03-16