Infineon Technologies Isolateurs à semiconducteurs (SSI)
Les isolateurs à semiconducteurs (SSI) Infineon Technologies fournissent des pilotes de grilles isolés galvaniquement pour divers commutateurs de MOSFET et IGBT dans des applications de relais statiques (SSR). Ces dispositifs permettent la création de relais statiques personnalisés capables de contrôler les charges sur 1 000 V et 100 A. Les isolateurs à base de transformateur sans noyau (CT) permettent le transfert d'énergie à travers la barrière d'isolation et peuvent piloter des MOSFET ou des IGBT de grande taille sans ajout de circuiterie d'alimentation électrique du côté de isolé. Les caractéristiques de protection innovantes permettent la conception de SSR fiables et robustes.
Ces SSI d'Infineon assurent une transmission d'énergie puissante au-delà d'une barrière d'isolation galvanique pour actionner les grilles des transistors de puissance contrôlés par MOS, tels que CoolMOS™, OptiMOS™, CoolSiC™, ou IGBT TRENCHSTOP™. Le côté sortie de la famille d'isolateurs à semi-conducteurs ne nécessite pas d'alimentation de tension dédiée pour piloter la grille du transistor de puissance. Le côté sortie offre des fonctions de contrôle avancées telles que l’allumage, l’arrêt rapide, la protection contre les surintensités et la surchauffe pour créer facilement/en toute sécurité des relais à semi-conducteurs pour diverses applications. Cette famille comprend le iSSI30R12H, qui est adapté aux MOSFET de puissance à détection T CoolMOS™ S7 offrant un capteur de température intégré. D’autres pièces de la gamme sont destinées à être utilisées avec des résistances CTP externes.
Des fonctions de protection précises sont proposées pour construire des systèmes rentables. Le côté entrée de l’isolateur est compatible à 3,3 V et fonctionne avec un courant d’alimentation de 16 mA (standard). Les variantes iSSI20R02H, iSSI20R03H et iSSI20R11H sont fournies dans un boîtier DSO-8-66 tandis que les modèles iSSI30R11H et iSSI30R12H sont fournis dans un boîtier DSO-16-33.
Caractéristiques
- Isolateurs à semi-conducteurs utilisant la technologie de transformateur sans noyau d'Infineon
- Aucune alimentation de polarisation de grille isolée n’est nécessaire pour le pilotage de grille
- Correspondance parfaite pour les IGBT CoolMOS, OptiMOS et TRENCHSTOP
- Faible puissance et large plage de tension d’entrée de 2,6 V à 3,5 V (limité en interne)
- Entrée CMOS à haute impédance (variantes tamponnées)
- Tension de sortie jusqu’à 18 V, aucune configuration en série ou parallèle requise pour un pilotage de grille puissant
- Courants de crête de sortie élevés
- 185 µA (variantes de pilote direct)
- 400 mA (variantes tamponnées)
- Marche/arrêt rapide pour un fonctionnement SOA sécurisé des commutateurs
- Isolation galvanique jusqu’à 5,7 kVRMS
- Capteur de température et entrées de protection de capteur de courant
- Verrouillage en cas de défaillance (surintensité ou surchauffe)
- Protection de verrouillage Miller dynamique
- Boîtier à corps large avec ligne de fuite et dégagement élevés pour UL 1 577 (prévu) et isolation renforcée conforme à la norme CEI 60747-17 (prévu)
- Minimise le besoin de dissipateurs thermiques
- Élimine l’allumage des contacts parasites
Applications
- Applications de relais CA et CC à semi-conducteurs
- Remplacements de relais électromécaniques
- Contrôle logique programmable, automatisation industrielle et commandes
- Systèmes de domotique et immotique (thermostat, éclairage, contrôle de chauffage)
- Équipement d'instrumentation
Caractéristiques techniques
- Tension de décalage entrée-sortie maximale de ± 1 200 V
- Tension d’alimentation d’entrée maximale de - 10 V à 4,25 V
- Tension logique d’entrée maximale de - 10 V à 15 V
- Courant d’alimentation d’entrée maximal de 0 mA à 120 mA
- Pièce d’entrée de dissipation de puissance maximale de 200 mW
- Pièce de sortie de dissipation de puissance maximale de 4,5 mW
- Fréquence de commutation maximale de 2 kHz
- Immunité transitoire maximale en mode commun 200 V/ns
- Plage de température ambiante de -40 °C à +125 °C
- Plage de températures de jonction de -40 °C à +150 °C
- Résistance ESD
- Modèle corps humain (HBM) minimum de 2 kV
- Modèle de dispositif chargé (CDM) TC 1 000 conforme à la norme ANSI/ESDA/JEDEC-JS-002-2014 (TC = condition de test la plus élevée passée conforme à la normeAEC-Q100-011 Rév. D)
Vidéos
Outils de développement
Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL-iSSI30R11H
Évalue l’isolateur à semi-conducteurs SSI et dispose de deux MOSFET CoolMOS™ IPQC60R010S7.
Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL-iSSI30R12H
Évalue l’isolateur à semi-conducteur de transformateur sans noyau SSI, SSI30R12H, dans un circuit d’application.