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Infineon Technologies MOSFET de puissance à double canal Super Cool OptiMOS™

Les MOSFET de puissance à double canal Super Cool OptiMOS™ d'Infineon Technologies sont des transistors de puissance à canal N dans un boîtier SuperSO8 avec une capacité de refroidissement double pour de meilleures performances thermiques. Les MOSFET de puissance OptiMOS Infineon sont développés pour une efficacité, une densité de puissance et une rentabilité supérieures. Ces composants disposent d’une faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et d’une faible charge de récupération inverse (Qrr), augmentant la densité de puissance tout en améliorant la robustesse et la fiabilité du système. La classe +175 °C facilite les conceptions avec soit plus de puissance à une température de jonction en fonctionnement plus élevée, soit une durée de vie plus longue à la même température de jonction en fonctionnement.

Caractéristiques

  • Boîtier refroidi sur deux côtés avec la plus faible résistance thermique de jonction
  • MOSFET à commutation rapide pour SMPS
  • Technologie optimisée pour le redressement synchrone
  • Faible résistance à l’état passant RDS(on)
  • Faible charge de récupération inverse
  • 100 % testé en mode avalanche
  • Plage de température de fonctionnement de -55,0 °C à +175,0 °C
  • Compatible avec l’encombrement SuperSO8 standard
  • Technologie OptiMOS 5
  • Placage de fil sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène conformément à la norme IEC61249-2-21
  • Fiabilité des joints de brasage supérieure grâce à une interconnexion de source plus large

Applications

  • Sources d'alimentation en mode commutable
  • Charge sans fil inductive
  • Commutateurs de charge
  • Redressement de l'alimentation serveur
  • Systèmes de gestion de la batterie
  • Entraînements BT

Profil de boîtier

Plan mécanique - Infineon Technologies MOSFET de puissance à double canal Super Cool OptiMOS™
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Numéro de pièce Fiche technique Vds - Tension de rupture drain-source Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Temps de montée Temps de descente
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Fiche technique 40 V 7.2 mOhms 52 nC 65 W 4 ns 25 ns
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Fiche technique 60 V 15.5 mOhms 29 nC 50 W 2 ns 9 ns
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Fiche technique 40 V 7.6 mOhms 38 nC 65 W 4 ns 7 ns
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Fiche technique 60 V 11.2 mOhms 55 nC 65 W 3 ns 7 ns

Guide de sélection de puissance et de détection Infineon

Publié le: 2020-04-14 | Mis à jour le: 2024-10-15