Infineon Technologies MOSFET OptiMOS™ 5 FET linéaire 2
Les MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2 Infineon Technologies sont optimisés pour les applications d'échange à chaud et de fusibles électroniques, offrant des performances exceptionnelles avec une très faible résistance à l'état passant RDS(on) et une large zone de fonctionnement sûre (SOA). Ces MOSFET à canal N et de niveau normal sont entièrement testés par avalanche pour leur fiabilité et présentent un placage des fils sans plomb, garantissant la conformité à la directive RoHS. De plus, les MOSFET sont exempts d'halogènes selon les normes CEI 61249-2-21, ce qui les rend respectueux de l'environnement pour les applications exigeantes.
Caractéristiques
- Idéal pour les applications d'échange à chaud et de fusibles électroniques
- Très faible résistance RDS(on)
- Large zone de fonctionnement sûr SOA
- Canal N, niveau normal
- Entièrement testé contre les avalanches
- Placage des fils sans plomb, conforme RoHS
- Sans halogènes conformément à la norme CEI 61249‑2‑21
Applications
- Applications de démarrage à chaud
- Applications de fusibles électroniques
Schéma du circuit d'application
Publié le: 2024-12-06
| Mis à jour le: 2024-12-22