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Infineon Technologies MOSFET automobiles OptiMOS™ 5 75V-100V

Les MOSFET automobiles OptiMOS ™ 5 de 75 V à 100 V d'Infineon Technologies sont  conçus pour les applications hautes performances et présentent une qualification étendue qui va au-delà des normes AEC-Q101. Le dispositif en mode d'amélioration de canal N combine une conception robuste avec une technologie avancée, intégrant des caractéristiques de FET linéaire (LINFET) et de faible RDS(on) FET (ONFET) dans un seul boîtier. Cette configuration à double grille fournit des broches de grille dédiées pour chaque MOSFET, améliorant ainsi la flexibilité et le contrôle dans la conception de circuit. Le FET linéaire bénéficie d'une zone de fonctionnement (SOA) sûr améliorée et de capacités de parallélisation supérieures, garantissant une exploitation linéaire fiable dans des conditions variables. Les MOSFET OptiMOS™ 5 de 75 V à 100 V d'Infineon Technologies fonctionnent dans une large plage de température de -55°C à +175°C et sont disponibles dans un boîtier PG-HSOF-8-2. 

Caractéristiques

  • MOSFET de puissance OptiMOS pour applications automobiles
  • Qualification étendue au-delà d'AEC-Q101
  • Canal N, mode amélioré, niveau normal
  • Test électrique amélioré
  • Conception robuste
  • FET linéaire (LINFET) et FET à faible RDS(on) (ONFET) dans un seul boîtier
  • Broches de grille dédiées pour les deux MOSFET (double grille)
  • FET linéaire avec SOA améliorée et caractéristiques de mise en parallèle pour une exploitation linéaire
  • Température de fonctionnement maximale : +175 °C
  • Conformité à la directive RoHS
  • 100 % testé en avalanche
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 jusqu'au pic de refusion de +260 °C

Applications

  • Répartition de l'alimentation et gestion de batterie (fusibles électroniques et commutateurs de déconnexion)
  • Limitation du courant d'appel (chargement du condensateur, courant de surtension du moteur)
  • Commutation lente pour minimiser les transitoires de tension et les EMI (chauffage par catalyseur électrique)
  • Verrouillage de la tension drain-source (dissipation de l'énergie inductive, protection contre les surtensions)

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source maximale de 80 V
  • Résistance drain-source maximale de 1,15 mΩ
  • Courant drain maximal de 410 A
  • Avalanche en pulse unique
    • 820 mJ d'énergie maximum
    • 300 A de courant maximum
  • Tension maximale entre la grille et la source : ±20 V
  • Puissance dissipable admissible : 375 W
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
  • Résistance thermique
    • 0,40 K/W maximum de jonction à boîtier
    • 14,8 K/W standard de jonction à milieu ambiant
  • Boîtier PG-HSOF-8-2

Circuit d'application

Schéma du circuit d'application - Infineon Technologies MOSFET automobiles OptiMOS™ 5 75V-100V
Publié le: 2024-11-05 | Mis à jour le: 2024-11-12