Infineon Technologies Diode de puissance en silicium 650 V IDFW80C65D1
La diode de puissance en silicium 650 V IDFW80C65D1 Infineon Technologies est un dispositif contrôlé par un émetteur à commutation rapide 80 A, dans un boîtier d'isolation avancé TO-247.Elle se caractérise par une tension directe, une charge de récupération inverse et un courant de récupération inverse faibles. La diode de puissance IDFW80C65D1 offre une tension d'isolation électrique de 2 500 VRMS et une tension inverse de crête répétitive de 650 V. Elle fonctionne sur une plage de température de -40 °C à 175 °C. La diode de puissance IDFW80C65D1 est une surface de montage isolée, entièrement testée, avec placage sans plomb des fils. Application standard : commandes de moteur et entraînements, climatisation, entraînements à usage général (GPD) et SMPS industriels.
Caractéristiques
- Comportement stable en température des paramètres clés
- Faible tension directe (VF)
- Charge de récupération inverse faible (Qrr)
- Courant de récupération inverse faible (Irrm)
- Surface de montage isolée, entièrement testée
- Placage des fils sans plomb
- Conformes RoHS
Caractéristiques techniques
- Technologie contrôlée par émetteur 650 V
- Isolation électrique 2 500 VRMS, 50/60 Hz, t = 1 min
- Tension directe de diode maximale : 1,7 V
- Courant de fuite inverse maximal : 40 µA
- Plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +175 °C
- Température de stockage : -55 °C à +150 °C
Applications
- Entraînements et commande de moteur
- Climatisation
- Entraînements à usage général (GPD)
- SMPS industriels
Ressources supplémentaires
Note d'application
Publié le: 2020-10-20
| Mis à jour le: 2024-12-06