Infineon Technologies Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

Avantages du CoolMOS™ pour le client

• Meilleur rapport prix/performance
• Portefeuille de MOSFET SJ le plus étendu du marché
• Mature, stable et bien établi

Avantages du CoolSiC™ pour le client

• Performances élevées, robustesse et facilité d’utilisation
• Fiabilité élevée, en particulier à hautes températures et dans des environnements difficiles
• Système plus compact

Avantages du CoolGaN™ pour le client

• Rendement le plus élevé aux fréquences de commutation les plus élevées
• Système le plus compact pour la densité de puissance la plus élevée
• Permet l’intégration du système

Les produits MOSFET à super-jonction CoolMOS d'Infineon présentent des facteurs de mérite exceptionnels en termes de conduction, de commutation et de pertes de conduite. CoolSiC et CoolGaN permettent des conceptions de systèmes extrêmement efficaces et compactes qui répondent à la demande de produits plus écologiques et plus performants. De plus, un portefeuille complet de CI pilotes de grille adéquats optimisés pour les technologies au silicium et à large bande interdite libère tout le potentiel des commutateurs. Dans les classes de tension 600 et 650 des produits d’alimentation, les utilisateurs trouveront que les CoolMOS Infineon, CoolSiC et CoolGaN coexistent, fournissant une proposition de valeur distincte en fonction de l’application spécifique.

La fabrication de diodes unipolaires pratiques en silicium (diodes Schottky) est limitée à une plage allant jusqu'à 100 V ou 150 V avec une résistance à l'état passant et un courant de fuite relativement élevés. Par comparaison, les diodes Schottky au carbure de silicium peuvent atteindre une tension de rupture beaucoup plus élevée. Infineon distribue des diodes SCHOTTKY CoolSiC à base de SiC 600 V, 650 V et 1 200 V.