Infineon Technologies Modules IGBT EasyDUAL™ 1 B
Les modules IGBT EasyDUAL™ 1 B d'Infineon Technologies avec MOSFET CoolSiC™ offrent une très faible inductance parasite et un rendement exceptionnel permettant des fréquences plus élevées, une densité de puissance accrue et des exigences de refroidissement réduites. Les modules demi-pont 1 200 V, 8 mΩ sont dotés d’un capteur de température NTC intégré et de la technologie de contact PressFIT. Le matériau d’interface thermique est disponible sur les variantes xHP_B11. Ces composants disposent de plages de tension de commande de grille recommandées de 0 à 5 V et +15 V à +18 V, de tensions grille-source maximales de +23 V ou -10 V et d’options de résistance drain-source à l'état passant de 17 mΩ ou 33 mΩ. Les brides de fixation intégrées garantissent un montage robuste.Caractéristiques
- Meilleur boîtier de sa catégorie, dimensions de 62,8 mm x 33,8 mm x 12 mm (LxlxH)
- Combinaison de matériaux WBG de pointe et de boîtiers de module Easy
- Inductance parasite du module très faible
- Large RBSOA
- MOSFET CoolSiC de 1 200 V avec technologie de tranchée de 1ère génération améliorée
- Fenêtres de tension de commande de grille recommandées étendues de 0 à 5 V et +15 V à +18 V
- Tensions grille-source maximales étendues de +23 V et -10 V
- Options de résistance drain-source à l'état passant de 17 mΩ ou 33 mΩ
- Tvjop en cas de surcharge jusqu’à +175 °C
- Broches PressFIT
- Capteur de température NTC intégré
- Matériau d'interface thermique (variantes xHP_B11)
- Brides de montage intégrées
- Permet une fréquence plus élevée pour augmenter la densité de puissance
- Une efficacité exceptionnelle du module et un meilleur rapport coût/performance permettent de réduire les coûts du système
- Amélioration de l'efficacité du système pour des exigences de refroidissement réduites
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Applications de commutation à fréquence élevée
- Convertisseurs CC/CC
- Systèmes ASI (alimentations sans interruption)
- Chargeurs DC pour véhicules électriques (variantes FF17MR12W1M1Hx)
- Entraînements de moteurs (variantes F33MR12W1M1Hx)
du relais
Notes d’application
- AN2021-13 : MOSFET M1H CoolSiC™ pour modules
- AN2018-09 : Directives pour la fenêtre de tension de commande de grille MOSFET CoolSiC™
- AN2009-01 : Instructions d’assemblage pour les modules Easy PressFIT
- AN2017-04 : Options avancées de commande de grille pour MOSFET au carbure de silicium (SiC) utilisant EiceDRIVER™
- AN2017-46 : MOSFET SiC CoolSiC™ 1 200 V
Publié le: 2023-06-05
| Mis à jour le: 2023-06-12
