Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

Les MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V d’Infineon Technologies sont conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction. Ces MOSFET sont adaptés aux topologies de commutation dure et douce en raison de la robustesse de commutation des dispositifs. Les MOSFET CoolMOS™ CM8 650 V dispose d’une conception rapide grâce à une faible tendance à la sonnerie et à une utilisation sur les étages PFC et MLI. Ces MOSFET permettent une gestion thermique simplifiée grâce à une technique avancée d’assemblage de la puce. Les MOSFET CoolMOS™ CM8 650 V sont conforme à la directive RoHS et entièrement qualifiés selon les normes JEDEC pour les applications industrielles. Les applications typiques incluent les convertisseurs résonnant LLC, les serveurs d’IA, les alimentations électriques de télécommunications et les centres de données.